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STB28N60DM2

功能描述：MOSFET N-CH 600V 21A

制造商：stmicroelectronics

系列：MDmesh? DM2

包装：剪切带（CT）

零件状态：有效

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：21A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：160 毫欧 @ 10.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：34nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1500pF @ 100V

功率 - 最大值：170W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

供应商器件封装：D2PAK

标准包装：1

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